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华体会hth登录-环球晶计划下半年涨价
半导体晶圆制造商环球晶董事长徐秀兰25日在电话会议上表示，今年市况与去年不同，“相对好非常多”，但成本上涨，折旧摊提增加，正积极与客户沟通下半年调涨售价。除了AI需求强劲，非AI应用如车用、工业用产品也陆续回暖。目前环球晶12吋产能满载，其他中小尺寸晶圆稼动率也满高，能见度已
2026-07-18 -
华体会hth登录-西安奕材武汉第三工厂主体封顶，125亿项目加速落地
2026年5月24日，西安奕斯伟材料科技股份有限公司武汉基地第三工厂项目主体结构顺利封顶。随着最后一方混凝土浇筑完成，这座国内12英寸硅片领域的重点工程正式进入设备安装与投产筹备阶段，为国产半导体硅材料产业升级注入新动能。该项目坐落于武汉东湖高新区未来城科学岛核心区域，总投资约125亿元，总建筑面积
2026-07-17 -
华体会hth登录-美光马纳萨斯晶圆厂开始生产1α制程DDR4
日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于关键应用的长生命周期内存，包括DDR4和LPDDR4产品。美光也表示，其1α DRAM技术是全球最先进的DD
2026-07-17 -
华体会hth登录-铠侠计划2027年量产第十代BiCS 3D NAND闪存
据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年，较此前曝光的2026年计划延后一年；相关投资细节预计在2026年下半年进一步明朗。此举是铠侠在高层堆叠赛道的关键布局，将直接影响全球高端存储市
2026-07-17 -
华体会hth登录-消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发
2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制
2026-07-17
