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华体会hth登录-三星计划到2030年推出1000层3D NAND新

据外媒报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。如果

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