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华体会hth登录-国内首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功，并通过太空验证！
功率器件被誉为电力电子系统“心脏”，是实现电能变换和控制的核心，也是国计民生领域最为基础、应用最为广泛的元器件之一，其核心技术研发和创新发展备受关注。来自中国科学院微电子研究所的最新消息说，该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化
2025-03-08 -
华体会hth登录-重大突破！哈工大成功攻克EUV光刻机
来源：半导体门户近期半导体行业传来振奋人心的消息：哈尔滨工业大学（哈工大）成功研发出中心波长为13.5纳米的极紫外（EUV）光技术，为中国光刻机技术的发展带来了重大突破，也为中国芯片制造业在面临挑战时找到了破局之策。光刻机，作为芯片制造的核心设备，其技术水平对芯片的制程和性能起着决定性作用。然而，长
2025-03-08 -
华体会hth登录-英飞凌增强传感器和射频产品组合
来源：Silicon Semiconductor英飞凌科技公司已成立一个新的业务部门，通过将现有的传感器和射频 (RF) 业务合并为一个专门组织，来推动公司在传感器领域的增长。新的业务部门 SURF（传感器单元和射频）将成为电源和传感器系统（PSS）部门的一部分，并包括以前的汽车和多市场传感与控制业
2025-03-08 -
华体会hth登录-2025年，多地筹谋集成电路产业
来源：中国电子报近日，全国各省（市）纷纷发布2025政府工作报告，总结2024工作，并提出2025年工作总体要求和重点任务。其中，多地对集成电路产业做出规划。北京：推动集成电路重点项目产能爬坡2025年1月14日，北京市第十六届人民代表大会第三次会议开幕，北京市市长殷勇作政府工作报告。政府工作报告中
2025-03-07 -
华体会hth登录-长电科技“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”专利获授权
天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司近日取得一项名为“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”的专利，授权公告号为CN115101434B，授权公告日为2024年12月10日，申请日为2022年7月21日。本发明揭示了一种封装结构制作方法和芯片防翘曲装置，所述制作方法包括步骤：提供一测试基板和测试堆叠芯片
2025-03-07
